Please use this identifier to cite or link to this item: http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/4987
Title: Моделирование взаимодействия точечных дефектов в процессе роста бездислокационных монокристаллов кремния.
Other Titles: Modeling the interaction of point defects during the growth of dislocation-free silicon single crystals.
Моделювання взаємодії точкових дефектів в процесі росту бездислокаційних монокристалів кремнію.
Authors: Таланін, Віталій Ігорович
Таланін, Ігор Євгенович
Сирота, Анатолій Васильович
Talanin, Vitaliy I.
Talanin, Igor E.
Sirota, Anatolij V.
Таланин, Виталий Игоревич
Таланин, Игорь Евгеньевич
Сирота, Анатолий Васильович
Keywords: growth microdefects
heterogeneous diffusion model
dislocation-free silicon single crystals
crucible zone melting
ростові мікродефекти
гетерогенна диффузиона модель
бездіслокаційні монокристали кремнію
бестигельне зонне плавлення
ростовые микродефекты
гетерогенная диффузионная модель
бездислокационные монокристаллы кремния
безтигельная зонная плавка
Issue Date: 2007
Publisher: Державний технологічний університет «Московський інститут сталі і сплавів», МИСиС
Abstract: UK: Сформульовано математична модель процесу утворення первинних ростових мікродефектів на основі диссоциативного процесу дифузії. Розглянуто випадки взаємодії «кисень-вакансія» (0 + V) і «вуглець-власний межузельний атом кремнію» (З + 1) поблизу фронту кристалізації для бездислокаційних монокристалів кремнію, отриманих методами бестигельной зонного плавлення і Чохральського EN: A mathematical model of the process of formation of primary growth microdefects based on the dissociative diffusion process is formulated. The cases of oxygen-vacancy (0 + V) and carbon-intrinsic interstitial silicon atom (C + 1) interactions near the crystallization front for dislocation-free silicon single crystals obtained by crucibleless and Czochralski methods are considered. RU: Сформулирована математическая модель процесса образования первичных ростовых микродефектов на основе диссоциативного процесса диффузии. Рассмотрены случаи взаимодействия «кислород-вакансия» (0+V) и «углерод-собственный межузельный атом кремния» (С+1) вблизи фронта кристаллизации для бездислокационных монокристаллов кремния, полученных методами бестигельной зонной плавки и Чохральского.
Description: В.И. Таланин, И.Е. Таланин, А.В. Сирота. Моделирование взаимодействия точечных дефектов в процессе роста бездислокационных монокристаллов кремния / IV Рросійська конференція з міжнародною участю з фізики, матеріалознавства і фізико-хімічним основам технологій отримання легованих кристалів кремнію і приладових структур на їх основі, «Кремній - 2007» (3-6 липня 2007 р.)
URI: http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/4987
Appears in Collections:Наукові статті кафедри КС та М

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Talanin_Modeling.pdfНаукова стаття180.42 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.