Please use this identifier to cite or link to this item:
http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/232| Title: | Управление дефектной структурой бездислокационных монокристаллов кремния на стадии роста кристалла |
| Other Titles: | Controlling the dislocation-free silicon monocrystals defect structure on the crystal growth phase Управління дефектною структурою бездіслокаційних монокристалів кремнію на стадії росту кристалу |
| Authors: | Таланін, Віталій Ігорович Talanin, Vitaliy I. Таланин, Виталий Игоревич Таланін, Ігор Євгенович Talanin, Igor E. Таланин, Игорь Евгеньевич Сирота, Анатолій Васильович Syrota, Anatoliy V. Сирота, Анатолий Васильевич |
| Keywords: | ростові мікродефекти бездіслокаційний монокристал кремнію вторинні ростові дефекти гетерогенний механизм дефектоутворення grown-in microdefects dislocation-free silicon monocrystals secondary grown-in microdefects heterogenic diffusion model ростовые микродефекты бездислокационный монокристалл кремния вторичные ростовые дефекты гетерогенный механизм дефектообразования |
| Issue Date: | 2008 |
| Publisher: | Кременчуцький університет економики, інформаційних техноьогій та управління |
| Abstract: | UK: Розглянута проблема формування вторинних ростових мікродефектів (вакансійних мікропор) у бездислокаційному монокристалі кремнію. Розроблено додаток для програмної реалізації математичної моделі утворення мікродефектів. RU: Проведено чисельний розрахунок моделі, що підтвердив основні положення гетерогенної дифузійної моделі утворення ростових мікродефектів. EN: The secondary grown-in microdefects formation (vacancy clusters) problem in the dislocation-free silicon monocrystals is considered in this article. The application for mathematical model software support is developed. The model numerical computation is realized. It confirms the main statements of heterogenic diffusion model of grown-in microdefects formation. Рассмотрена математическая модель и алгоритм расчета процесса образования вторичных ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния . Предлагается последовательность действий, за счет которых появляется возможность управления дефектной структурой бездислокационных монокристаллов кремния, в частности, за счет уничтожения условий для создания таких вторичных ростовых микродефектов, как вакансионные микропоры. |
| Description: | Controlling the dislocation-free silicon monocrystals defect structure on the crystal growth phase. / V.I. Talanin, I.E. Talanin, A.V. Sirota / New technologies |
| URI: | http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/232 |
| Appears in Collections: | Наукові статті кафедри КС та М |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Sirota.pdf | Статті | 377.46 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.