Please use this identifier to cite or link to this item: http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/7411
Title: Моделювання ємності фрактально провідного напівпровідника в діапазоні низьких і високих частот
Other Titles: Рaper the capacity simulation of fractally conducting semiconductor in low and high frequencies
Моделирование емкости фрактально проводящего полупроводника в диапазоне низких и высоких частот
Authors: Сніжко, Наталія Вікторівна
Snizhko, Nataliia V.
Снижко, Наталия Викторовна
Онуфрієнко, Володимир Михайлович
Onufriyenko, Volodymyr M.
Онуфриенко, Владимир Михайлович
Антоненко, Ніна Миколаївна
Antonenko, Nina M.
Антоненко, Нина Николаевна
Keywords: фрактальна ємність
напівпровідниковий метаматеріал
скейлінговый показник
гістерезис просторових компонент
fractal capacity
semiconductor metamaterial
scaling indicator
spatial components hysteresis
фракальная ёмкость
полупроводниковый метаматериал
скейлинговый показатель
гистерезис пространственных компонент
Issue Date: 2020
Publisher: Одеська національна академія зв’язку ім. О.С. Попова
Abstract: UK: Представлена теоретична модель оцінки виміряних даних про ємнісні та скейлінгові властивості природних або штучно створених зразків. Геометричні і фізичні властивості таких зразків моделюються введенням в розгляд фізичних фрактальних зарядів (струмових елементів), що виявляються в сегнетоелектричних і напівпровідникових метаматеріалах. Визначено зв'язок скейлінгових властивостей зразка з метаматеріалу із проявом гістерезису вимірюваних значень ємності. EN: The teoretical model for evaluating the measured data on the capacitive and scaling properties of natural or artificially created samples is presented. The geometric and physical properties of such samples are modeled by introducing physical fractal charges (current elements) into consideration, which are manifested in the ferroelectric and semiconductor metamaterial. The relationship of the scaling properties of the metamaterial sample with the manifestation of a hysteresis of the measured capacitance values is determined. RU: Представлена теоретическая модель оценки измеренных данных об емкостных и скейлинговых свойствах естественных или искусственно созданных образцов. Геометрические и физические свойства таких образцов моделируются вводом в рассмотрение физических фрактальных зарядов (токовых элементов), проявляющихся в сегнетоэлектрическом и полупроводниковом метаматериале. Определена связь скейлинговых свойств образца из метаматериала с проявлением гистерезиса измеряемых значений емкости.
Description: Онуфриенко В.М., Снижко Н.В., Антоненко Н.Н. Моделирование емкости фрактально проводящего полупроводника в диапазоне низких и высоких частот [Текст] / В.М. Онуфриенко, Н.В. Снижко, Н.Н. Антоненко // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах: матеріали дев’ятнадцятої міжнародної науково-технічної конференції (м. Одеса, 26-29 червня 2020 р), Одеська національна академія зв’язку ім. О.С. Попова. – Одеса: ФОП Бондаренко М. О., 2020. – 150 с. – С. 23-24.
URI: http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/7411
Appears in Collections:Наукові статті кафедри ВМ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
NS_Snizhko.pdfНаукова стаття4.46 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.