Please use this identifier to cite or link to this item: http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/5649
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКоротун, Андрій Віталійович-
dc.contributor.authorСмирнова, Ніна Анатоліївна-
dc.contributor.authorНагорна, Ніна Миколаївна-
dc.contributor.authorKorotun, Andriy V.-
dc.contributor.authorSmirnova, Nina A.-
dc.contributor.authorNagornaya, Nina N.-
dc.contributor.authorКоротун, Андрей Витальевич-
dc.contributor.authorСмирнова, Нина Анатольевна-
dc.contributor.authorНагорная, Нина Николаевна-
dc.date.accessioned2020-02-28T08:07:18Z-
dc.date.available2020-02-28T08:07:18Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.urihttp://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/5649-
dc.descriptionМетодичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни “Твердотіла електроніка” 152 „Метрологія та інформаційно-вимірювальна техніка“ (освітня програма: „Якість, стандартизація та сертифікація“); 153 „Мікро- та наносистемна техніка“ (освітня програма: „Мікро- та наноелектронні прилади і пристрої“) денної й заочної форм навчання / уклад.: А. В. Коротун, Н. А. Смирнова, Н. М. Нагорна. – Запоріжжя: НУ «Запорізька політехніка», 2020. – 69 с.uk
dc.description.abstractUK: Принцип роботи більшості сучасних напівпровідникових приладів оснований на використанні властивостей р-n переходу. В роботі представлено методичні вказівки щодо виконання лабораторного практикуму для дослідження основних напівпровідникових приладів та їх характеристик: діода, біполярного та польового транзисторів. EN: The principle of operation of most modern semiconductor devices is based on the use of the rn junction properties. The paper presents methodological guidelines for the implementation of a laboratory workshop for the study of basic semiconductor devices and their characteristics: diode, bipolar and field transistors. RU: Принцип работы большинства современных полупроводниковых приборов основан на использовании свойств р-n перехода. В работе представлены методические указания по выполнению лабораторного практикума для исследования основных полупроводниковых приборов и их характеристик: диода, биполярного и полевого транзисторов.uk
dc.language.isoukuk
dc.publisherНаціональний університет «Запорізька політехніка»uk
dc.subjectдіодuk
dc.subjectпробійuk
dc.subjectбіполярний транзисторuk
dc.subjectпольовий транзисторuk
dc.subjectdiodeuk
dc.subjectbreakdownuk
dc.subjectbipolar transistoruk
dc.subjectfield transistoruk
dc.subjectдиодuk
dc.subjectпробойuk
dc.subjectбиполярный транзисторuk
dc.subjectполевой транзисторuk
dc.titleМетодичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни “Твердотіла електроніка”uk
dc.title.alternativeMethodological instructions for laboratory work in the discipline "Solid State Electronics"uk
dc.title.alternativeМетодические указания к лабораторным работам по дисциплине "Твердотельная электроника"uk
dc.typeMethodological guidelinesuk
Appears in Collections:Навчально-методичний комплекс дисциплін кафедри ІБ та Н

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
M07489.pdfМетодичні вказівки1.69 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.