Please use this identifier to cite or link to this item: http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/4990
Title: Спосіб вирощування з розплаву бездіслокаційних монокристалів кремнію
Other Titles: Method for growing dislocation-free silicon single crystals from a melt
Способ выращивания из разсплава бездислокационных монокристаллов кремния
Authors: Таланін, Віталій Ігорович
Таланін, Ігор Євгенович
Сирота, Анатолій Васильович
Talanin Vitaliy I.
Talanin, Igor E.
Sirota, Anatolij V.
Таланин, Виталий Игоревич
Таланин, Игорь Евгеньевич
Сирота, Анатолий Васильевич
Keywords: growth microdefects
heterogeneous diffusion model
dislocation-free silicon single crystals
ростові мікродефекти
гетерогенна диффузиона модель
бездіслокаційні монокристали кремнію
ростовые микродефекты
гетерогенная диффузионная модель
бездислокационные монокристаллы кремния
Issue Date: 2007
Publisher: Укрпатент
Abstract: UK: Винахід відноситься до галузі металургії високоякісних бездислокаційних монокристалів кремнію, що являються основним матеріалом для виготовлення елементної бази сучасної електронної промисловості. В основу винаходу поставлено завдання розробки способу який дозволяє керувати дефектною структурою бездислокаційних монокристалів кремнію, зокрема подавляти утворення вакансійних мікропор та міжвузловиних діслокаційних петель, які критичним чином впливають на якість вихідних монокристалів та структур на їх основі. EN: The invention relates to the field of metallurgy of high-quality silicon single-crystalline single crystals, which are the main material for the manufacture of the elemental base of modern electronic industry. The object of the invention is to develop a method that allows you to control the defective structure of silicon single-crystal single crystals, in particular to suppress the formation of vacant micropores and inter-node dislocation loops, which critically affect the quality of the original single crystals and structures based on them. RU: Изобретение относится к области металлургии высококачественных бездислокационных монокристаллов кремния, являются основным материалом для изготовления элементной базы современной электронной промышленности. В основу изобретения поставлена задача разработки способа который позволяет управлять дефектной структурой бездислокационных монокристаллов кремния, в частности подавлять образование вакансионных микропор и междоузлия дислокацийних петель, которые критическим образом влияют на качество исходных монокристаллов и структур на их основе.
Description: Патент на корисну модель № 21853 (Україна), Спосіб вирощування з розплаву бездіслокаційних монокристалів кремнію / Таланін І.Є., Таланін В.І., Сирота А.В. заявл. 11.09.2006; опубл. 10.04.2007, Бюл. №4.
URI: http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/4990
Appears in Collections:2007

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Talanin_Patent.pdfПатент942.67 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.