Please use this identifier to cite or link to this item: http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/4984
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorТаланін, Віталій Ігорович-
dc.contributor.authorТаланін, Ігор Євгенович-
dc.contributor.authorСирота, Анатолій Васильович-
dc.contributor.authorTalanin, Vitaliy I.-
dc.contributor.authorTalanin, Igor E.-
dc.contributor.authorSirota, Anatolij V.-
dc.contributor.authorТаланин, Виталий Игоревич-
dc.contributor.authorТаланин, Игорь Евгеньевич-
dc.contributor.authorСирота, Анатолий Васильович-
dc.date.accessioned2019-11-25T12:09:22Z-
dc.date.available2019-11-25T12:09:22Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.urihttp://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/4984-
dc.descriptionТаланин В. И., Таланин И. Е., Сирота А. В. Моделювання умов зростання і технології отримання бездислокаційних монокристалів кремнію без вторинних растових мікродефектів / Матеріали ІІІ Міжнародної науково-практичної конференції «Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології» (МЕТТІТ-3), 21 травня 2008 р.uk
dc.description.abstractUK: Розробка моделі дефектоутворення в бездислокаційних монокристалах кремнію з можливістю моделювання і отримання бездислокаційних монокристалів кремнію з заздалегідь заданою дефектною структурою, а також управління нею під час наступних технологічних впливах. EN: Development of a model of defect formation in dislocation-free silicon single crystals with the possibility of producing dislocation-free silicon single crystals with a predetermined defect structure and its control during the following technological actions RU: Разработка модели дефектообразования в бездислокационных монокристаллах кремния с возможностью получения бездислокационных монокристаллов кремния с заранее заданной дефектной структурой и управления ей во время следующих технологических воздействий.uk
dc.language.isoruuk
dc.publisherм. Кременчук, Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління.uk
dc.subjectgrowth microdefectsuk
dc.subjectheterogeneous diffusion modeluk
dc.subjectdislocation-free silicon single crystalsuk
dc.subjectcrucible zone meltinguk
dc.subjectростові мікродефектиuk
dc.subjectгетерогенна диффузиона модельuk
dc.subjectбездіслокаційні монокристали кремніюuk
dc.subjectбестигельне зонне плавленняuk
dc.subjectростовые микродефектыuk
dc.subjectгетерогенная диффузионная модельuk
dc.subjectбездислокационные монокристаллы кремнияuk
dc.subjectбезтигельная зонная плавкаuk
dc.titleМоделирование условий роста и технологии получения бездислокационных монокристаллов кремния без вторичных растовых микродефектовuk
dc.title.alternativeModeling of growth conditions and technology for producing dislocation-free silicon single crystals without secondary rast microdefectsuk
dc.title.alternativeумов зростання і технології отримання бездислокаційних монокристалів кремнію без вторинних растових мікродефектівuk
dc.typeArticleuk
Appears in Collections:Наукові статті кафедри КС та М

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Talanin_Modeling.pdfНаукова стаття139.24 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.