Особливості проектування, розрахунку і моделювання інтегральних мікропотужних ІЧ світлодіодів УВЧ діапазону для оптоелектронних цифрових ІС

Abstract

UK: Розглянуто етапи проектування, розрахунку та моделювання інтегральних мікропотужних ІЧ світлодіодів (СД) УВЧ діапазону для цифрових ІС з оптичними зв`зками (ІСОЗ). На основі вхідних параметрів отримані вихідні параметри моделі ІЧ СД для розрахунку його ВАХ в режимі модуляції типу «малий сигнал», залежності вказаних параметрів від концентрацій і товщин р+ активного прошарку (для двох з'єднань типу AlxGa1-xAs), а саме: ВАХ ІЧ СД для двох значень часу рекомбінації, значення ширин забороненої зони (ЗЗ), коефіцієнтів поглинання, залежності прямих і рекомбінаційних струмів ІЧ СД, ін., що дає змогу отримати його дієву модель у складі мікропотужного оптрону УВЧ діапазону. EN: The stages of designing, calculating, and modeling UHF integrated micropower infrared light emitting diodes (LEDs) for digital ICs with optical links (ICOL) are considered. Based on the input parameters, the obtained output parameters of the IR LED model for calculating its VAC in the modulation mode of the “small signal” type, the dependencies of these parameters on the concentration and thickness p + of the active layer (for two compounds of AlxGa1-xAs type), namely: VAC IR LED for two values of the recombination time, the value of the width of the forbidden zone (FZ), absorption coefficients, the dependence of direct and recombination currents of the IR LED, etc., which allows to obtain its effective model in the composition of the micropower UHF optocoupler RU: Рассмотрены этапы проектирова-ния, расчета и моделирования интегральных микромощных ИК светодиодов (СД) УВЧ диапазона для цифровых ИС с оптическими свзями (ИСОЗ). На основе входных параметров полученные выходные параметры модели ИК СД для расчета его ВАХ в режиме модуляции типа «малый сигнал», зависимости указанных параметров от концентрации и толщины р + активного слоя (для двух соединений типа AlxGa1-x As), а именно: ВАХ ИК СД для двух значений времени рекомбинации, значение ширины запрещенной зоны (ЗЗ), коэффициентов поглощения, зависимости прямых и рекомбин-ционных токов ИК СД, др., что позволяет получить его действующую модель в составе микромощного оптрона УВЧ диапазона.